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24小时咨询热线摘 要：一种具有源端内嵌叉指NMOS的LDMOS-SCR器件，可用于提高片上IC的ESD保护可靠性。主要由P衬底、P外延、P阱、N阱、第一N+注入区、第二N+注入区、第一P+注入区、第三N+注入区、第四N+注入区、第二P+注入区、第五N+注入区、若干多晶硅栅、若干薄栅氧化层和若干场氧隔离区构成。该器件一方面由第二P+注入区、第三多晶硅栅、第五N+注入区、N阱、P阱、第一P+注入区、第一N+注入区形成寄生的LDMOS-SCR电流路径，可增强器件的ESD鲁棒性；另一方面由第一N+注入区、第一多晶硅栅、第一薄栅氧化层、第二N+注入区、第一P+注入区、第三N+注入区、第二多晶硅栅、第二薄栅氧化层和第四N+注入区构成的叉指NMOS和寄生电阻，可形成阻容耦合效应，提高维持电压。
著 录 项：
| 专利/申请号： | CN201510951868.4 | 专利名称： | 一种具有源端内嵌叉指NMOS的LDMOS-SCR器件 |
| 申请日： | 2015-12-17 | 申请/专利权人 | 江南大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 江苏省无锡市滨湖区蠡湖大道1800号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | 分类号： | H01L27/02搜分类 SCR L 器件搜索 |
| 公开/公告日： | 2016-03-09 | 转让价格： | 面议 |
| 公开/公告号： | CN105390491A | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 2018/01/02 | 授权 | |
| 2016/04/06 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 27/02 专利申请号: 201510951868.4 申请日: 2015.12.17 |
| 2016/03/09 | 公开 |
