一种宽负载范围内高电源抑制比LDO电路

摘     要：本发明公开了一种宽负载范围内高电源抑制比LDO电路，包括与基准电压BG模块连接的误差放大结构，误差放大结构的输出端与LDO电路的第二级结构连接，第二级结构的输出端还连接有反馈电阻和输出电容，基准电压BG模块与误差放大结构之间还连接有自偏置低噪声隔离电路，P型MOS管Mphat与N型MOS管Mnhat构成源极跟随器，输出电压主要受栅极输入电压噪声的影响，可以不受电源电压噪声的影响。从而达到输出电压与电源电压噪声隔离。本发明解决了现有技术中存在的LDO的电源抑制比性能差的问题。

著 录 项： 

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

• 日期	法律信息	备注
  2021/10/22	授权
  2020/08/04	实质审查的生效	IPC(主分类): G05F 1/625 专利申请号: 202010181842.7 申请日: 2020.03.16
  2020/07/10	公开