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摘 要:本发明公开了一种基准电流源,包括偏置电路、基准电流产生电路和输出电路,其中,所述偏置电路与基准电流产生电路和负载分别连接,所述基准电流产生模块的输出与所述输出电路和负载分别连接;所述基准电流产生电路包括两条支路,每条支路均包括相连接的电流镜和亚阈值管,其中一条支路中还包括一个处于线性区的场效应管M14的漏端与亚阈值管的源端连接,该场效应管M14的栅端连接偏置电压,源端接地。本发明将三支路共源共栅电路的高电源抑制比和纳安级别输出电流的优点,与利用场效应管体效应的温度补偿结合,最终实现了6pA/℃的温度变化率和0.36nA/V的电压变化率,且总静态电流功耗仅为185nA。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202110425289.1 | 专利名称: | 一种基准电流源 |
申请日: | 2021-04-20 | 申请/专利权人 | 杭州电子科技大学,杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 浙江省杭州市下沙高教园区 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | G05F1/567搜分类 集成电路 芯片搜索 |
公开/公告日: | 2024-07-23 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN113282127B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |