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24小时咨询热线摘 要：本发明公开的一种基于n长基区碳化硅晶闸管，包括自下而上依次设置的阳极欧姆电极、碳化硅p+发射区外延层、碳化硅n+缓冲层、碳化硅n型长基区外延层、碳化硅p‑短基区外延层、碳化硅n+发射区外延层；碳化硅n+发射区外延层上覆盖有阴极欧姆电极；碳化硅p‑短基区外延层上部镶嵌有两个碳化硅p+区；每个碳化硅p+区上覆盖有门极欧姆电极，门极欧姆电极与碳化硅n+发射区外延层设置有隔离层。在高质量的n型碳化硅衬底上外延生长得到的p+外延层来取代p型碳化硅衬底，能够将串联电阻减小约两个数量级。
著 录 项：
| 专利/申请号： | CN201711209284.5 | 专利名称： | 一种基于n长基区碳化硅晶闸管及其制作方法 |
| 申请日： | 2017-11-27 | 申请/专利权人 | 西安理工大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 陕西省西安市金花南路5号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | 分类号： | H01L29/74搜分类 硅 港口搜索 |
| 公开/公告日： | 2018-05-15 | 转让价格： | 面议 |
| 公开/公告号： | CN108039367A | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 2020/09/25 | 授权 | |
| 2018/06/08 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 29/74 专利申请号: 201711209284.5 申请日: 2017.11.27 |
| 2018/05/15 | 公开 |
