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摘 要:本发明公开了一种场限环-负斜角复合终端结构,将芯片的中央区域作为有源区,将有源区外围区域作为终端区,有源区和终端区共同的n-衬底下方设置有n型场阻止层,在n型场阻止层下方设置有p+阳极区及阳极;有源区中,n-基区中设置有多个并联的单元,每个单元内与n-基区相邻的是波状p基区,p基区上面为p+基区,p+基区中央设置有一个阴极n+发射区,每个n+发射区上方设有阴极;p+基区上方设有门极,并且整个门极环绕在所包围的阴极n+发射区的周围;在终端区的n-衬底内,在主结外侧设了至少一个p型场限环,并在场限环上面有一个负斜角,斜面上覆有钝化层。本发明的场限环-负斜角复合终端结构具有更好的高温稳定性。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201310695943.6 | 专利名称: | 一种场限环-负斜角复合终端结构 |
申请日: | 2013-12-17 | 申请/专利权人 | 西安理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 陕西省西安市金花南路5号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L29/06搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 2016-06-22 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN103745987B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2016/06/22 | 授权 | |
2014/05/21 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 29/06 专利申请号: 201310695943.6 申请日: 2013.12.17 |
2014/04/23 | 公开 |