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摘 要:本发明公开了一种基于FinFET器件的异或/同或门电路,包括第一FinFET管、第二FinFET管、第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管和第六FinFET管,第一FinFET管和第四FinFET管均为P型FinFET管,第二FinFET管、第三FinFET管、第五FinFET管和第六FinFET管均为N型FinFET管;第一FinFET管和第四FinFET管均为低阈值FinFET管,第二FinFET管、第三FinFET管、第五FinFET管和第六FinFET管均为高阈值FinFET管,第一FinFET管和第四FinFET管鳍的个数均为1,第二FinFET管、第三FinFET管、第五FinFET管和第六FinFET管鳍的个数均为2;优点是在具有正确的逻辑功能的基础上,电路面积、延时、功耗和功耗延时积均较小。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201610044398.8 | 专利名称: | 一种基于 FinFET 器件的异或/同或门电路 |
申请日: | 2016-01-22 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H03K19/21搜分类 电子 门 F 器件 电路搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |