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摘 要:本发明公开了一种基于FinFET管的一位全加器,包括第一FinFET管、第二FinFET管、第三FinFET管、第四FinFET管、第五FinFET管、第六FinFET管、第七FinFET管、第八FinFET管、第九FinFET管、第十FinFET管、第十一FinFET管、第十二FinFET管、第十三FinFET管、第十四FinFET管、第十五FinFET管、第十六FinFET管、第十七FinFET管、第十八FinFET管、第十九FinFET管和第二十FinFET管,第一FinFET管、第二FinFET管、第五FinFET管、第七FinFET管、第九FinFET管、第十二FinFET管、第十三FinFET管、第十五FinFET管、第十七FinFET管和第十九FinFET管为P型FinFET管,第三FinFET管、第四FinFET管、第六FinFET管、第八FinFET管、第十FinFET管、第十一FinFET管、第十四FinFET管、第十六FinFET管、第十八FinFET管和第二十FinFET管为N型FinFET管;优点是电路面积、延时、功耗和功耗延时积均较小。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201610257904.1 | 专利名称: | 一种基于FinFET管的一位全加器 |
申请日: | 2016-04-22 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H03K19/20搜分类 F搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |