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摘 要:本发明公开了一种阻变存储器的机理的研究方法,包括:步骤A、提供阻变存储器中所用的活性层材料,将所述活性层材料在基底上制作成薄膜;步骤B、将AFM调至接触模式下,利用导电原子力探针对所述薄膜的表面进行载流子的注入,形成载流子注入区;步骤C、将AFM原位切换至表面电势测量模式,在保护气氛中对包含所述载流子注入区的区域进行连续的扫描,得到扫描区域的表面电势图,根据所述表面电势图评估载流子在所述活性层材料中的行为能力。本发明是基于原位进行载流子注入、连续扫描,进而评估载流子在活性材料中的注入、迁移和保留的能力,进而可以判断阻变行为是否是由活性层对电荷的俘获/释放所引起,检测结果准确可靠。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810459342.8 | 专利名称: | 一种阻变存储器的机理的研究方法 |
申请日: | 2018-05-15 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L45/00搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2020/01/24 | 授权 | |
2018/12/07 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 45/00 专利申请号: 201810459342.8 申请日: 2018.05.15 |