一种PSOI横向双扩散金属氧化物半导体场效应管

摘     要：本发明公开了一种PSOI横向双扩散金属氧化物半导体场效应管新结构。这种结构是在靠近基区衬底中离子注入浓度渐变型埋层，中间部分为半导体衬底，靠近漏端衬底中埋有隔离的介质埋层。其耐压机理是通过浓度渐变型埋层电荷产生的附加电场调制作用，导致表面电场分布中产生一些新的峰并且趋于均匀而使击穿电压提高；浓度渐变型埋层的电中性作用补偿了漂移区优化的浓度而使器件比导通电阻降低，由此改善了LDMOS击穿电压与比导通电阻之间的矛盾关系。

著 录 项： 

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

• 日期

  法律信息

  备注