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24小时咨询热线摘 要：本发明专利公开了一种生产低位错密度铸造单晶锭或多晶硅锭时的籽晶铺设方法，包括以下步骤：S1，直拉单晶圆棒去除边皮后得到无圆角的单晶方棒；S2，将所述单晶方棒切割成大籽晶块；S3，将所述大籽晶块再次切割成小籽晶块或籽晶条；S4，将所述小籽晶块或者籽晶条铺设在坩埚底部，形成完整的籽晶层；S5，在所述籽晶层上放置原生多晶硅料和头尾边等循环料；S6，将所述装满多晶硅料的坩埚放入铸锭炉中，采用半融工艺得到铸造单晶硅锭或多晶硅锭；S7，将所述硅锭进行开方，开方后得到小方锭；S8，将所述小方锭进行切片后得到铸造单晶硅片或多晶硅片；铺设时高籽晶和矮籽晶交替搭配，使高籽晶和矮籽晶相接触的侧面完美融合，减少了位错出现的概率。
著 录 项：
| 专利/申请号： | CN202010217070.8 | 专利名称： | 一种生产低位错密度铸造单晶锭或多晶硅锭时的籽晶铺设方法 |
| 申请日： | 2020-03-25 | 申请/专利权人 | |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | 分类号： | C30B13/34搜分类 铸造 多晶硅 铺设 低 港口 单晶搜索 |
| 公开/公告日： | 转让价格： | 面议 | |
| 公开/公告号： | 交易状态： | 已转让 搜索相似专利 |
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 2024/04/02 | 未缴年费专利权终止 | IPC(主分类): C30B 13/34 专利号: ZL 202010217070.8 申请日: 2020.03.25 授权公告日: 2021.08.06 |
| 2022/11/29 | 专利权的转移 | 登记生效日: 2022.11.16 专利权人由南昌大学变更为湖北鑫鸿新能源有限公司 地址由330000 江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号变更为434000 湖北省荆州市开发区美的路68号 |
| 2021/08/06 | 授权 | |
| 2020/08/18 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): C30B 13/34 专利申请号: 202010217070.8 申请日: 2020.03.25 |
| 2020/07/24 | 公开 |
