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摘 要:本发明属于纳米材料合成技术领域,特指一种PDA/Bi-AgIn5S8/TiO2异质结光电极及制备方法和用途。首先利用水热合成方法在FTO基片上合成二氧化钛(TiO2)纳米棒阵列,然后再利用水热合成方法在其之上均匀的形成一层Bi掺杂的Bi-AgIn5S8,最后再使用化学浴沉积法(CBD)在Bi-AgIn5S8表面形成一层连续的聚多巴胺(PDA)。在半导体表面涂覆一层PDA可以阻止其与水溶液的直接接触避免引起严重的光腐蚀,提高半导体稳定性。因此可以解决PEC分解水制氢的过程中,半导体AgIn5S8材料极易受到光腐蚀的影响而失活的问题,从而可以保持稳定长久的高产氢速率。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201710374433.7 | 专利名称: | 一种PDA/Bi-AgIn5S8/TiO2异质结光电极及制备方法和用途 |
申请日: | 2017-05-24 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | B82Y40/00搜分类 电子元器件 P 港口 电子设备和元器件搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |