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摘 要:本发明属于光电极纳米材料合成技术领域,涉及复合光电极,尤其涉及一种磷酸钴-聚多巴胺-钒酸铋(Co-Pi/PDA/BiVO4)三元复合光电极的制备方法。本发明首先采用电沉积在FTO表面生长一层均匀BiOI纳米颗粒,经高温煅烧生成钒酸铋;通过化学水浴法在钒酸铋上生长聚多巴胺(PDA),同时以PDA为功能性桥梁引进磷酸钴助催化剂,经化学水浴法将PDA/BiVO4电极浸没于硝酸钴和磷酸钠水溶液,在聚多巴胺上生长磷酸钴助催化剂,制得磷酸钴-聚多巴胺-钒酸铋光电极。本发明合成工艺简单,重复性好,所用材料价廉易得,符合环境友好要求,利用简单的电沉积、高温煅烧、化学浴沉积法所制备的Co-Pi/PDA/BiVO4复合光电极,具有良好的化学稳定性,光电化学性能好,光电转换效率高达27%。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201910196016.7 | 专利名称: | 磷酸钴-聚多巴胺-钒酸铋三元复合光电极的制备方法及应用 |
申请日: | 2019-03-15 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C25B1/04搜分类 纳米材料 绿色能源 水解制氢 氢燃料搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |