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著 录 项 目:
专利/申请号: | CN201811247752.2 | 专利名称: | 一种超结结构的制作方法 |
申请日: | 2018-10-25 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L29/06分类检索 其他专利转让搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 【平台担保交易】 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
摘 要:本发明涉及一种超结结构及其制作方法,所述方法包括:提供第一导电类型的衬底,在所述衬底上形成第一导电类型的第一外延层;在所述第一外延层上表面形成沟槽掩膜层;对所述第一外延层进行第一刻蚀形成至少一个沟槽;在所述沟槽侧壁及所述沟槽掩膜层侧壁形成多晶硅层,进行对所述沟槽的第二刻蚀,当去除所述多晶硅层时停止所述第二刻蚀;在所述沟槽内填充多个第二导电类型的第二外延层,所述多个第二外延层自所述沟槽底部至顶部依次叠加,且多个第二外延层的浓度自所述沟槽底部至顶部依次降低。上述方法形成的所述超结结构可靠性高,电荷分布均匀。
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2019/04/05 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 29/06 专利申请号: 201811247752.2 申请日: 2018.10.25 |
2019/03/12 | 公开 |