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摘 要:本实用新型公开了一种使用寿命长单晶硅片,包括硅片本体,所述硅片本体的表面均匀排设有栅线,所述硅片本体表面的两侧均设置有引流线,所述引流线与栅线为贯穿设置,所述硅片本体包括单硅基层,所述单硅基层的顶部固定连接有绒面结构层,所述绒面结构层的顶部固定连接有保护层,保护层包括防紫外线层和防刮层组成。本实用新型通过硅片本体、栅线、引流线、单硅基层、绒面结构层、保护层、防紫外线层、防刮层、抗反射层和增透层的配合使用,能够有效的解决传统单晶硅片在安装过程中防护性较差的问题,该结构使得该双面单晶硅片的强度更高,在安装时不易发生碎裂,同时能够进一步减少光衰,从而提高单晶硅片对阳光的吸收效率。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202021337625.4 | 专利名称: | 一种使用寿命长单晶硅片 |
申请日: | 2020-07-09 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 实用新型 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L31/0216搜分类 半导体 硅 港口 单晶搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2021/03/30 | 授权 |