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摘 要:本发明提供一种功率器件保护芯片及其制作方法,包括:提供第一导电类型的衬底;在所述衬底上表面生长第二导电类型的第一外延层;在所述第一外延层上表面形成第一导电类型的第二外延层;形成贯穿所述第二外延层并延伸至所述第一外延层的第一沟槽;在所述第一沟槽内交替形成第二导电类型的第三外延层以及第四导电类型的第四外延层;在所述第一沟槽的侧壁形成第一介质层;形成贯穿所述衬底和所述第一外延层并与所述第一沟槽连接的第二沟槽;在所述第二沟槽内形成多晶硅层;在所述第二外延层上表面形成第一电极;在所述衬底的下表面形成第二电极,从而降低了工艺难度,提高了功率器件保护芯片的性能。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810895430.2 | 专利名称: | 一种功率器件保护芯片及其制作方法 |
申请日: | 2018-08-08 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L27/02搜分类 输入保护 输出保护 电子元器件 半导体 芯片 PCB 集成电路 线路板 电路板 保护器件 电路保护搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2021/04/23 | 授权 | |
2021/04/13 | 专利申请权的转移 | 登记生效日: 2021.04.01 申请人由盛世瑶兰(深圳)科技有限公司变更为深圳市源新科技有限公司 地址由518000 广东省深圳市罗湖区桂园街道宝安南路3042号天地大厦21楼2113变更为518000 广东省深圳市南山区桂庙路22号向南瑞峰花园一楼A区161号 |
2019/01/22 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 27/02 专利申请号: 201810895430.2 申请日: 2018.08.08 |
2018/12/28 | 公开 |