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专利名称：一种功率器件保护芯片及其制作方法申请号：2018108954302 转让价格：面议收藏
法律状态：已下证类型：发明关键词：输入保护输出保护电子元器件半导体芯片 PCB 集成电路线路板电路板保护器件电路保护相似专利发布日：2024/08/26
摘要：本发明提供一种功率器件保护芯片及其制作方法，包括：提供第一导电类型的衬底；在所述衬底上表面生长第二导电类型的第一外延层；在所述第一外延层上表面形成第一导电类型的第二外延层；形成贯穿所述第二外延层并延伸至所述第一外延层的第一沟槽；在所述第一沟槽内交替形成第二导电类型的第三外延层以及第四导电类型的第四外延层；在所述第一沟槽的侧壁形成第一介质层；形成贯穿所述衬底和所述第一外延层并与所述第一沟槽连接的第二沟槽；在所述第二沟槽内形成多晶硅层；在所述第二外延层上表面形成第一电极；在所述衬底的下表面形成第二电极，从而降低了工艺难度，提高了功率器件保护芯片的性能。

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