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摘 要:本发明涉及一种具有大磁电阻效应的CoFeB/SiO2/n‑Si异质结构及制备方法。在室温条件下,以Si为基底,溅射电流为0.02A,溅射电压为975V,CoFeB薄膜的厚度为160nm时,CoFeB/SiO2/n‑Si异质结构具有大的磁电阻效应。Si基底晶格排列有序,CoFeB薄膜晶格排列无序,SiO2层厚度为2.5nm,界面两侧干净尖锐;电阻随温度的升高呈现先减小后增大的趋势;在200K温度和50kOe磁场下,磁电阻高达2300%。本发明所采用的磁控溅射法,与分子束外延法和化学方法相比,在工业化生产上具有明显优势。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201610279012.1 | 专利名称: | 具有大磁电阻效应的CoFeB/SiO2/n-Si异质结构及制备方法 |
申请日: | 2016-04-27 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01F10/16搜分类 s 计算机硬件 电阻 CO F搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |