发明专利已授权

一种具有强极化空穴注入层的氮化物半导体发光二极管

Name: 一种具有强极化空穴注入层的氮化物半导体发光二极管
Brand: 黎明职业大学
SKU: 2018103791239
Availability: InStock

📄 申请号：CN201810379123.9 📄 发布日：2026/09/04

著录项目信息

申请日

2018-04-25

公开号

CN108520913B

公开日

2019-10-01

申请人

黎明职业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L33_24

IPC 分类号

H01L33_24 , H01L33_06 , H01L33_32 ,

技术画像

所属领域

其他分类其他

应用场景

半导体照明, 显示器件, 光电子器件, 通用照明, 背光源

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摘要

本发明公开一种具有强极化空穴注入层的氮化物半导体发光二极管，依次包括衬底、第一导电型半导体，量子阱，V-pits，和第二导电型半导体，在V-pits侧壁上生长强极化空穴注入层，在强极化空穴注入层之间生长V-pits填充层，所述的强极化空穴注入层为BxAl1-xN/SczIn1-zN、BxInyGa1-x-yN/SczAlkGa1-z-kN、BxSczGa1-x-zN/InyAlkGa1-y-kN、BxAlkGa1-x-kN/SczInyGa1-y-zN超晶格的任意一个或任意组合，所述V-pits侧壁强极化空穴注入层形成强极化系数m，其中m≥3.0 cm-2，形成V-pits侧壁高空穴浓度，并提升空穴的能量，使空穴可跃过V-pits侧壁的势垒，从而提升V-pits侧壁的空穴注入效率，提升氮化物发光二极管的发光效率。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN108520913B

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20191001

✅ 授权

20181009

?? 实质审查的生效：

20180911

📄 公开

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