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PVAm改性OHP薄膜的应用、聚合物钙钛矿RRAM器件及其制备方法

Name: PVAm改性OHP薄膜的应用、聚合物钙钛矿RRAM器件及其制备方法
Brand: 郑州大学
SKU: 2019110003386
Availability: InStock

📄 申请号：CN201911000338.6 📄 发布日：2026/11/03

著录项目信息

申请日

2019-10-21

公开号

CN110707212A

公开日

2020-01-17

申请人

郑州大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L45_00

IPC 分类号

H01L45_00

技术画像

所属领域

半导体材料半导体材料阻变存储器钙钛矿薄膜

应用场景

非易失性存储器, 嵌入式存储, 神经形态计算, 消费电子, 数据中心

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摘要

本发明公开了PVAm改性OHP薄膜在聚合物钙钛矿RRAM器件中的应用，并且还公开了聚合物钙钛矿RRAM器件及其制备方法，通过用聚乙烯胺（PVAm）离子部分取代钙钛矿结构中的甲铵离子（MA+），以制备兼具高开关比、长期稳定性和柔性的聚合物钙钛矿RRAM器件。本发明的聚合物钙钛矿RRAM器件表现出快速响应的、稳定可靠的、可循环擦写的非易失阻变特性，未封装器件在环境条件下的电开关比为105，操作电压为-0.45 V。通过调控限制电流，器件还可实现多阶阻变特性。此外，柔性聚合物钙钛矿RRAM器件表现出良好的弯折耐受性，其在经过100次反复弯折之后仍维持最初的阻变特性。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN110707212A

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该专利的转让价格是多少？

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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