实用新型 已授权

一种制备单晶碳化硅薄膜的化学气相沉积装置

📄 申请号:CN202323579518.9 📄 发布日:2026/10/21

著录项目信息

申请日
2023-12-27
公开号
CN221971736U
公开日
2024-11-08
申请人
连云港龙塔研磨材料有限公司
法律状态
已下证
专利类型
实用新型
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

半导体制造, 功率半导体器件, 第三代半导体, 集成电路制造, 薄膜沉积工艺

摘要

本实用新型公开了一种制备单晶碳化硅薄膜的化学气相沉积装置,其包括:底板的上表面固定连接有沉淀箱,沉淀箱的上表面固定连接有抽气机,抽气机的输出端固定连接有吸气管,吸气管远离抽气机的一端固定连接有吸气头,抽气机的后表面固定连接有输送管,输送管远离抽气机的一端固定连接有废气箱,沉淀箱的下底壁活动连接有沉淀仓,底板的上表面固定连接有储气箱,储气箱的上表面固定连接有排气管,排气管上设置有排气阀,沉淀箱的右表面固定连接有进气管,通过以上装置,有益于将沉淀箱周围的废气或有害气体进行收集,减少工作环境的污染,同时方便清理减少杂质堆积,并延长设备使用寿命。

常见问题

这项专利是否已经下证?

是的,该专利已下证,法律状态为“已下证”,公开号: CN221971736U

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

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