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本发明涉及一种具有联想记忆功能的忆阻仿生电路，包括第一忆阻器M1、第二忆阻器M2、第一PMOS晶体管T1、第二PMOS晶体管T2、第一NMOS晶体管T3、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第一压控开关S1、第一与非门NAND、第一运算放大器OP1、第一比较器COMP1，模拟食物信号输入端Vfood、模拟铃声信号输入端Vring、第一定值电压V1、第二定值电压V2、第一比较电压Vth。该电路通过模拟食物信号输入端Vfood和模拟铃声信号输入端Vring控制第一PMOS晶体管T1、第二PMOS晶体管T2和第一NMOS晶体管T3的开/关状态，来调节第一忆阻器M1和第二忆阻器M2的忆阻值，从而改变输出电压的值。

本发明公开一种基于不同阶的分数阶离散忆阻器的多稳定性电路，包括：第一分数阶离散忆阻器电路、第二分数阶离散忆阻器电路、第三分数阶离散忆阻器电路和分数阶Logistic映射电路。本发明的不同阶的分数阶离散忆阻器的阶数选取范围均为0‑1，不同阶数的引入使得分数阶离散忆阻器电路具有更灵活、丰富的动态特性和记忆性能，能够更好地适应不同系统的需求，并且基于不同阶的分数阶离散忆阻器的多稳定性电路具有初值调控，对称吸引子，振幅双向调控和偏移增强等复杂丰富的混沌特性。