发明专利已授权

一种二维原子层材料应变场控制方法

Name: 一种二维原子层材料应变场控制方法
Brand: 青岛科技大学
SKU: 2022100503058
Availability: InStock

📄 申请号：CN202210050305.8 📄 发布日：2026/09/22

著录项目信息

申请日

2022-01-17

公开号

CN114497238B

公开日

2025-11-21

申请人

青岛科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H10F77_30

IPC 分类号

H10F77_30 , H10F77_122 , H10F77_12 , H10F71_00 , B82Y15_00 , B82Y30_00 , B82Y40_00 ,

技术画像

所属领域

二维材料二维材料半导体材料材料应变调控

应用场景

半导体器件, 柔性电子, 光电器件, 传感器, 微纳电子

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摘要

本发明提供一种二维原子层材料应变场控制方法，包括以下步骤：步骤1：在透明基底上制备纳米吸光层和二氧化硅纳米薄膜；步骤2：把二维原子层材料转移至所述二氧化硅纳米薄膜表面；步骤3：令聚焦激光束穿过所述透明基底辐照所述纳米吸光层，从而获得二氧化硅纳米鼓包，同时对二维原子层材料施加局域应变；步骤4：通过控制聚焦激光束的移动轨迹、能量密度来对二维原子层材料施加复杂应变场，从而完成对二维原子层材料应变场的控制。本发明实施例提供的方法简单高效，绿色环保，在二维原子层材料的应变调控与器件制备方面有广阔的应用前景。

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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