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本发明属于紫外探测器技术领域，具体涉及一种ZnO紫外光电探测器及制备方法。本发明包括从下至上依次设置的ITO玻璃衬底、n型低维ZnO纳米线结构层、Mg或Cd掺ZnO薄膜层、p型低维ZnO纳米线结构层和上电极层。本发明在p层和n层之间加入Mg或Cd掺ZnO薄膜层可有效拓宽p‑n结耗尽区，同时Mg掺ZnO不但与纯ZnO导电性相似且禁带宽度连续可调，构成自驱动型紫外光电探测器结构，能够有效解决现有的p‑n同质结ZnO紫外光电探测器的p‑n结耗尽区较窄的问题，同时在低维p型低维ZnO纳米线结构层表面沉积Ag纳米颗粒，提高光生电流的产生以及光生载流子的输运最终制备出具有高光响应度紫外光电探测器。