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本发明公开了一种含驱动的微型发光二极管(Micro‑LED)结构及其制备方法，其结构包括向上晶面为非极性面的氮化镓(GaN)层、含有微孔的掩膜层、GaN立体三角岛、以及在三角岛一侧斜面上设置的高电子迁移率晶体管(HEMT)结构、另一侧斜面上设置的Micro‑LED结构。本发明利用选区外延并结合侧向外延获得立体结构的GaN岛，此GaN岛因其晶体属性自然形成左右对称的结构，在两侧分别设置HEMT和Micro‑LED结构，可以直接利用一侧的HEMT驱动另一侧的Micro‑LED，不仅解决了传统Micro‑LED需要额外驱动的问题，还避免了传统选区外延MicroLED结构时微孔为电流的束缚。此外，在三角岛斜面上生长具有独立结构的Micro‑LED，可以避免传统微加工技术对量子阱和P型层刻蚀损伤带来的不利影响，有效抑制每个发光单元的边缘效应，提高发光效率；以密堆积为基础排列发光单元，可以最大程度上有效利用外延片的面积，将经济效益最大化。

一种用于Micro‑LED巨量转移的可控分散方法及转移方法，包括分散平台，分散平台在旋转的同时进行升降或喷气，从而使放置在分散平台上的芯片做自由离心运动进而分散；a)芯片转移，将晶圆上的Micro‑LED芯片转移到橡胶承载片上；b)自由离心动作，橡胶承载片固定于离心式分散平台上，平台转动的同时进行升降或喷气，使芯片进行离心分散，经过单次或数次分散，使芯片阵列达到所需间隔和排布；c)芯片转移，将橡胶承载片上的芯片与承载基板上的焊盘对准，将芯片转移到基板的焊盘上。本方案利用Micro‑LED在分散平台做离心抛体运动的方式和倒装，实现巨量Micro‑LED的可控分散与转移。