发明专利已授权

控温控压研抛微半球凹模阵列的加工方法

📄 申请号：CN201910463389.6 📄 发布日：2026/08/04

著录项目信息

申请日

2019-05-30

公开号

CN110238713B

公开日

2021-04-30

申请人

浙江工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

B24B1_04

IPC 分类号

B24B1_04 , B24B49_14 , B24B49_16 ,

技术画像

所属领域

精密加工精密加工模具加工自动控制系统

应用场景

精密模具制造, 微光学器件加工, 微机电系统制造, 超精密制造

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摘要

本发明公开了控温控压研抛微半球凹模阵列的加工方法。先将硅片工件在微铣削机床上进行粗加工；制作研抛装置，工具头球体与工件间充满研抛液，研抛液包含平均粒径为几十纳米至几微米的磨粒，磨粒内核为氧化铝内核，磨粒外壳为三价铈的氧化铈外壳；将研抛装置的工具头和硅片工件置于高压釜中，在高温、高压环境下进行加工；工具头在Z轴向靠近工件的方向做低速进给的同时由微型超声发生器驱动工具头及其底部的球体在工件上方做微小超声振动，研抛液中的复合磨粒受作用冲击工件，得到微半球凹模阵列。本发明大幅提升微半球凹模阵列的加工效率，保证凹模圆周半径的一致性和不同凹模之间几何形状的一致性，同时减少了对加工工具的磨损。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种电催化氧化合成3-巯基吲哚嗪类化合物的方法

当前第 / 件

一种锂离子印迹交联壳聚糖多孔微球的制备方法

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