发明专利 已授权

芬顿多域超声加工制备微半球凹模阵列方法及装置

📄 申请号:CN201910462794.6 📄 发布日:2026/08/04

著录项目信息

申请日
2019-05-30
公开号
CN110421413B
公开日
2021-05-14
申请人
浙江工业大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

精密微结构制造, 微光学器件加工, 微流控芯片模具, MEMS器件制造, 特种加工

摘要

本发明公开了一种芬顿多域超声加工制备微半球凹模阵列方法及装置,包括研抛模平台,其变幅杆连接高频可调超声发射装置,变幅杆上装有可拆卸式超硬镀层工具头,导向固定板上加工有光滑通孔,所述氧化铝球体被限制在导向固定板上,导向固定板和碳化硅晶圆片放置于水平工作台上;将研抛液均匀充满导向固定板和碳化硅晶圆片上;超硬镀层复合工具头接收给定的频率和振幅的超声高速振动,撞击氧化铝球体并发射,氧化铝球体高速撞击磨粒后,撞击碳化硅衬底,撞击期间对二氧化硅进行去除,撞击期间芬顿反应和超声加工表现为逐层反应,逐层去除,期间通过超声加工的多域可控法,获得高表面质量的微半球凹模阵列。

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图2
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