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四硫钴酸镍/氢氧化钴纳米片阵列结构复合材料及其制备与应用

Name: 四硫钴酸镍/氢氧化钴纳米片阵列结构复合材料及其制备与应用
Brand: 浙江工业大学
SKU: 2019108073041
Availability: InStock

📄 申请号：CN201910807304.1 📄 发布日：2026/08/04

著录项目信息

申请日

2019-08-29

申请人

浙江工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C01G53_00

IPC 分类号

C01G53_00 , C01G51_04 , H01G11_24 , H01G11_26 , H01G11_30 , H01G11_86 , B82Y30_00 , B82Y40_00 ,

技术画像

所属领域

纳米材料纳米材料复合材料电极材料

应用场景

超级电容器, 储能器件, 电池电极, 电催化

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摘要

本发明提供了一种NiCo2S4/Co(OH)2纳米片阵列结构复合材料及其制备方法和应用，本发明一是通过控制金属离子与二甲基咪唑的比例，采用溶剂热法制备得到的钴镍双金属有机配体前驱体具有二维纳米片阵列结构，这种纳米片结构以及孔隙尺寸确保具有较高的原子利用率和较好的电解质的扩散；二是通过调节前驱体钴镍两种金属盐的浓度比，采用控制液相水解硫化工艺，即将钴镍双金属有机配体前驱体硫化为钴镍双金属硫化物，同时将一部分钴水解为氢氧化钴，即一次水热反应得到NiCo2S4/Co(OH)2复合物，使钴镍双金属的赝电容行为相互协同，极大地提高了比电容性能，最高比电容达3668F/g，高于金属钴的理论比容量。

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……

图1

图2

图3

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