发明专利已授权

碳化硅晶片抛光设备

📄 申请号：CN202211294837.2 📄 发布日：2026/08/04

著录项目信息

申请日

2022-10-21

公开号

CN115502870B

公开日

2025-04-29

申请人

杭州科技职业技术学院, 浙江工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

B24B29_02

IPC 分类号

B24B29_02 , B24B27_00 , B24B41_00 , B24B41_06 , H01L21_67 , H01L21_677 ,

技术画像

所属领域

半导体制造设备半导体制造设备化学机械抛光晶片加工

应用场景

半导体晶片制造, 功率半导体器件, 新能源汽车, 5G通信

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摘要

本发明涉及一种碳化硅晶片抛光设备，包括抛光机械臂、晶片表面等离子软化处理装置、晶片表面抛光装置。抛光机械臂的晶片吸盘上设有晶片电极，晶片电极与晶片吸盘拾取的碳化硅晶片导通，晶片表面等离子软化处理装置包括脉冲电源、不锈钢电极。水基电解液在脉冲电压作用下与碳化硅晶片的表面发生等离子体活化改性反应生成软化层，再通过晶片表面抛光装置打磨去除碳化硅晶片表面上的软化层。本发明采用抛光机械臂、晶片表面等离子软化处理装置、晶片表面抛光装置相结合的自动化精密抛光工艺，相比现有主要依靠人工操作，缺乏专用的抛光设备的工艺方案具有抛光效率高、抛光效果更佳的特点。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：15 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

资金托管权属尽调包过户

🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

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