发明专利 已授权

一种高纯度纳米AlN粉末的制备方法

📄 申请号:CN201410571029.5 📄 发布日:2026/07/23

著录项目信息

申请日
2014-10-23
公开号
CN104370278B
公开日
2016-07-06
申请人
西安理工大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

电子封装材料, 半导体器件, 导热填料, 结构陶瓷

摘要

本发明公开的一种高纯度纳米AlN粉末的制备方法,其以Al粉为原料,通过在低温和常压下的氮化处理制得AlN粉末,随后通过湿法机械球磨对所制备的AlN粉末进行分散,最后进行干燥处理后即获得高纯度的纳米AlN粉末。本发明的一种高纯度纳米AlN粉末的制备方法解决了现有的AlN制备方法存在的所需设备要求高、方法复杂和制得的AlN纯度较低的缺点。本发明的一种高纯度纳米AlN粉末的制备方法对原料和制备设备均无特殊要求,其制备工艺简单、能耗较低、制得的纳米AlN粉末纯度高,在制备过程中无需添加任何辅助试剂,且氮化处理的设备简单,所通气氛为常压气氛,因而制备成本较为低廉,对于工业化大规模生产具有很高的价值。

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

20160706
✅ 授权
20150325
?? 实质审查的生效 :
20150225
📄 公开

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