发明专利已授权

一种Sn@C@gC₃N₄纳米复合物及其制备方法

📄 申请号：CN201610397220.1 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2016-05-31

公开号

CN106077688B

公开日

2018-04-06

申请人

安徽工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

B22F9_14

IPC 分类号

B22F9_14 , B22F1_00 , B82Y40_00 ,

技术画像

所属领域

纳米复合材料纳米复合材料电池材料碳氮化合物材料

应用场景

锂离子电池, 储能系统, 电催化, 钠离子电池

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摘要

本发明公开了一种Sn@C@g‑C3N4纳米复合物及其制备方法，属于纳米材料制备技术领域。该纳米复合物材料微观结构为Sn@C核壳结构纳米胶囊嵌入g‑C3N4纳米片中，该纳米胶囊的粒径为5～100nm。本发明采用等离子电弧放电法，将锡粉和三聚氰胺粉按一定原子百分比压制成块体作为阳极靶材材料，采用石墨作为阴极材料，引用氩气和甲烷作为工作气体，阴极石墨电极与阳极靶材锡‑三聚氰胺粉末块体之间保持一定距离，阳极与阴极之间起电弧放电，即得Sn@C@g‑C3N4纳米复合物。该纳米复合物可见光催化活性高且制备过程简单、无后处理工序、成本低、易于实现工业化生产。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

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