发明专利已授权

Bi掺杂SnSe/氧化还原石墨烯复合物薄膜及其制备方法

📄 申请号：CN201610859235.5 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2016-09-28

公开号

CN106430998A

公开日

2017-02-22

申请人

陕西科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C03C17_22

IPC 分类号

C03C17_22 , H01L31_0216 ,

技术画像

所属领域

热电材料热电材料复合薄膜材料半导体材料

应用场景

温差发电, 余热回收, 可穿戴设备供电, 工业废热利用, 热电传感器

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摘要

本发明一种Bi掺杂SnSe/氧化还原石墨烯复合物薄膜，光吸收良好，电阻率低，导电性能优异，其制备方法效率高，制得薄膜质量好。所述制备方法，包括如下步骤，步骤1，制备前驱体溶液；分别制备Se2-离子水溶液和加入氧化石墨烯水溶液的Sn2+离子水溶液；步骤2，薄膜沉积；在室温下，将清洗后的基片放置在沉积容器中，将等体积的Sn2+离子水溶液和Se2-离子水溶液加入到沉积容器中，20min后取出基片，用去离子水淋洗完成一次薄膜沉积；反复沉积5–10次得到沉积薄膜；步骤3，薄膜晶化；沉积薄膜在100℃下干燥1h，或用25–40W紫外灯照射2–3h后得到晶化的Bi掺杂SnSe/rGO复合物薄膜。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20190305

✅ 授权

20170322

?? 实质审查的生效：

20170222

📄 公开

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