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发明专利
已授权
基于光子晶体光纤和光栅的磁场传感器及测量方法
📄 申请号:CN201711260749.X
📄 发布日:2026/07/23
著录项目信息
申请日
2017-12-04
公开号
CN107807338B
公开日
2023-08-04
申请人
沈阳建筑大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
G01R33_032
IPC 分类号
G01R33_032
技术画像
所属领域
磁场传感器
光纤传感
光子晶体光纤
光纤光栅
传感器
磁场传感器
应用场景
电力系统监测, 工业自动化, 医疗设备, 航空航天, 科学仪器
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摘要
本发明提供一种基于光子晶体光纤和光栅的磁场传感器及测量方法,所述磁场传感器由D型光子晶体光纤、纳米金层、纳米光栅和磁流体薄膜组成,纳米金层耦合在D型光子晶体光纤的轴向延伸的平滑表面,纳米光栅刻写在纳米金层上,磁流体薄膜覆盖在纳米光栅上,D型光子晶体光纤与纳米光栅的结构会增强倏逝波的强度。磁流体的折射率随着磁场强度的变化而变化,同时纳米金层表面自由电子共振产生吸收峰,其共振波长会发生偏移,通过观测共振波长的偏移过程实现对磁场的传感测量,采用的是表面等离子共振原理,只需分析磁流体与纳米金层的共振关系,吸收峰与磁场存在较明显的线性关系,解决了利用磁流体折射率特性所制备光纤磁场传感器线性度较差的问题。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
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委托待转让
📌 交易状态:
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