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发明专利
已授权
一种二氧化钛/二氧化硅一维光子晶体及其制备方法
📄 申请号:CN201810190099.4
📄 发布日:2026/07/23
著录项目信息
申请日
2018-03-08
申请人
苏州工学院
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
G02B1_00
IPC 分类号
G02B1_00
技术画像
所属领域
一维光子晶体
光子晶体
纳米材料
薄膜材料
一维光子晶体
应用场景
光学滤波, 光通信, 光学传感器, 反射涂层, 显示技术
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摘要
本发明公开了一种二氧化钛/二氧化硅一维光子晶体及其制备方法。该一维光子晶体是由二氧化钛薄膜和二氧化硅薄膜构成的多层膜结构,该一维光子晶体光子禁带中心波长可在380‑800纳米之间任意调节,禁带中心波长的反射率最高可达99%。该一维光子晶体是通过旋涂在衬底上制备含钛前驱体薄膜后通过热处理获得二氧化钛薄膜;再于二氧化钛薄膜表面通过旋涂和热处理获得含硅前驱体薄膜而获得交替的二氧化钛/二氧化硅多层膜结构。本发明通过改变前驱体的化学结构、浓度及旋涂转速可以容易地获得不同厚度的薄膜,从而调控其光子禁带中心波长。本发明可廉价、高效地制备二氧化钛、二氧化硅薄膜以及二氧化钛/二氧化硅一维光子晶体。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
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