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针对屏蔽差分硅通孔的RL无源均衡器结构及其设计方法

Name: 针对屏蔽差分硅通孔的RL无源均衡器结构及其设计方法
Brand: 杭州电子科技大学
SKU: 2018105756441
Availability: InStock

📄 申请号：CN201810575644.1 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2018-06-06

公开号

CN108988815A

公开日

2018-12-11

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H03H7_06

IPC 分类号

H03H7_06 , G06F17_50 , H01L23_48 ,

技术画像

所属领域

硅通孔技术硅通孔技术无源均衡器信号完整性

应用场景

三维集成电路, 芯片间高速互连, 半导体封装, 高速信号传输, 通信系统

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摘要

本发明公开一种针对屏蔽差分硅通孔的RL无源均衡器结构及其设计方法。本发明由多个单元构成；所述单元由硅衬底到金属层方向依次包括位于硅衬底中的屏蔽差分硅通孔，位于绝缘层中的两个输入端口和构成均衡器的片上电阻，以及位于最外层金属层的片上电容和输出端口；此结构利用电阻-电感(Resistance-Inductance,RL)谐振电路的思路设计而成。此结构可以有效解决数字差分信号传输系统中存在的码间串扰问题，使传输频带变得平坦，有效提高了高速数字信号的传输质量。

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……

图1

图2

图3

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