发明专利已授权

多壳层量子点CdSe/CdS/In2S3及其制备方法与应用

📄 申请号：CN201910372472.2 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2019-05-06

申请人

青岛科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C09K11_02

IPC 分类号

C09K11_02 , C09K11_88 , B01J27_057 , C01B3_04 ,

技术画像

所属领域

量子点材料量子点材料纳米材料半导体材料

应用场景

量子点显示, 生物荧光标记, 光电探测器, 发光二极管, 太阳能电池

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摘要

本发明提供一种多壳层量子点CdSe/CdS/In2S3及其制备方法，所述多壳层量子点CdSe/CdS/In2S3以CdSe为核，通过层层离子吸附的方式由内而外得到CdS壳层和In2S3壳层。与现有技术相比，本发明提供的CdSe/CdS/In2S3 QDs的制备方法中的所用原料易于购买且价格较低，同时制备方法简单，易于操作，便于大规模投入生产。另外，将本发明制备得到的CdSe/CdS/In2S3 QDs作为光催化制氢材料，其制氢效果相较于CdSe QDs和CdS QDs有了较为明显的提高，在7h内的光催化制氢量可以达到928.87μmol，并且该材料在光催化制氢过程中能够保持良好的循环稳定性。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

CaTiO3@ZnIn2S4纳米复合材料及其制备方法与应用

当前第 / 件

一种磷酸铋掺铕晶体及其制备方法

同领域国内专利 · IPC: (C09K11_02)

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