发明专利已授权

一种稀土基磁性斯格明子材料、制备方法及其应用

Name: 一种稀土基磁性斯格明子材料、制备方法及其应用
Brand: 杭州电子科技大学
SKU: 2019112364853
Availability: InStock

📄 申请号：CN201911236485.3 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2019-12-05

公开号

CN111074129A

公开日

2020-04-28

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C22C30_00

IPC 分类号

C22C30_00 , C22C30_02 , C22C30_04 , C22C30_06 , C22C1_02 , C22F1_02 , G11C13_02 ,

技术画像

所属领域

磁性斯格明子磁性材料拓扑磁性材料稀土材料磁性斯格明子

应用场景

自旋电子器件, 磁存储, 数据存储, 磁性传感器, 逻辑器件

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摘要

本发明提供了一种稀土基磁性斯格明子材料、制备方法及其应用，其化学通式为稀土Ra(Mn1-xGe1+x)bZc，其中R为Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb中的一种或多种的混合，Z为Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Al、Mg、Si，Sn、Cd中的一种或多种；20≤a≤25，75≤b≤80，0≤x≤0.1，0≤c≤10，a+b+c＝100，a、b、c、x表示原子百分比含量，本发明在20K-400K温度范围内具有磁性斯格明子结构，而且具有原材料成本低廉、成分可控、是一种理想的基于斯格明子的磁存储和逻辑运算的候选材料，该方法工艺简单、适用于工业化。

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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