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本发明提供了一种稀土基磁性斯格明子材料、制备方法及其应用，其化学通式为稀土Ra(Mn1-xGe1+x)bZc，其中R为Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb中的一种或多种的混合，Z为Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Al、Mg、Si，Sn、Cd中的一种或多种；20≤a≤25，75≤b≤80，0≤x≤0.1，0≤c≤10，a+b+c＝100，a、b、c、x表示原子百分比含量，本发明在20K-400K温度范围内具有磁性斯格明子结构，而且具有原材料成本低廉、成分可控、是一种理想的基于斯格明子的磁存储和逻辑运算的候选材料，该方法工艺简单、适用于工业化。

本发明涉及一种磁性斯格明子写入装置及其形成方法，包括：磁性薄膜；写入单元，用于向所述磁性薄膜写入磁性斯格明子；应力提供装置，用于为所述磁性薄膜提供压应力或张应力。根据磁性薄膜的磁致伸缩系数的正或者负，会在薄膜中的产生沿张力方向或垂直张力方向的磁化易轴，进而降低薄膜中磁性斯格明子的成核的能量阈值。