发明专利 已授权

一种应用于低温磁制冷的轻稀土REZnSi材料的制备方法

📄 申请号:CN201911343061.7 📄 发布日:2026/07/23

著录项目信息

申请日
2019-12-23
公开号
CN111074130B
公开日
2021-02-09
申请人
杭州电子科技大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

低温磁制冷, 磁制冷设备, 制冷技术, 稀土功能材料

摘要

本发明一种应用于低温磁制冷的轻稀土REZnSi材料及制备方法,RE为轻稀土Ce,Pr,Nd中的一者或多者之间的混合;所述的REZnSi材料具有六方型晶体结构,属于P6/mmm空间群;在0~2T的磁场变化下,等温磁熵变为2.5‑7.2J/kgK,在0~5T的磁场变化下,等温磁熵变为5.8‑13.8J/kgK;在0~7T的磁场变化下,等温磁熵变为9.4‑12.4J/kgK。首先将稀土和硅按一定加热融化制备出均匀合金锭子,破碎成粉末与锌粉按比例混合,利用热压的方法制备出致密的合金块,对合金块热处理后获得成品。本发明材料可应用于低温区磁制冷领域。原料价格低廉,制备方法工艺简单、适用于工业化。
权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

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