发明专利已授权

一种具有可调负压的SiC MOSFET栅极串扰抑制驱动电路

📄 申请号：CN202010345988.0 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2020-04-27

公开号

CN111555596A

公开日

2020-08-18

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H02M1_088

IPC 分类号

H02M1_088 , H02M1_32 ,

技术画像

所属领域

SiC MOSFET驱动电路 SiC MOSFET驱动电路栅极驱动电路栅极串扰抑制技术

应用场景

新能源汽车, 光伏逆变器, 储能系统, 充电桩, 电机驱动

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摘要

本发明公开了一种具有可调负压的SiC MOSFET栅极串扰抑制驱动电路，第一电容与第一稳压管并联后的前端与前级的图腾柱信号放大电路T1，T2输出端连接，第一电容与第一稳压管的后端与第一二极管的正极、第二电阻、第三电阻的前端和第一n-mos管的源极连接，第一二极管的负极通过第二电容、第一电阻的并联电路与接地端、第四电阻的后端连接，第二电阻的后端与第二二极管的负极连接，第一n-mos管的漏极与第二n-mos管的漏极连接，第一n-mos管和第二n-mos管的栅极通过第四电阻与接地端连接，第二二极管的正极、第三电阻的后端、第二n-mos管的源极与第五电阻的前端、SiC MOSFET的栅极连接，第五电阻的后端与接地端连接。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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