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本发明公开了一种具有可调负压的SiC MOSFET栅极串扰抑制驱动电路,第一电容与第一稳压管并联后的前端与前级的图腾柱信号放大电路T1,T2输出端连接,第一电容与第一稳压管的后端与第一二极管的正极、第二电阻、第三电阻的前端和第一n-mos管的源极连接,第一二极管的负极通过第二电容、第一电阻的并联电路与接地端、第四电阻的后端连接,第二电阻的后端与第二二极管的负极连接,第一n-mos管的漏极与第二n-mos管的漏极连接,第一n-mos管和第二n-mos管的栅极通过第四电阻与接地端连接,第二二极管的正极、第三电阻的后端、第二n-mos管的源极与第五电阻的前端、SiC MOSFET的栅极连接,第五电阻的后端与接地端连接。
📄 2020103459880 📂 H02M1_088 👤 杭州电子科技大学 📅 2020-04-27
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发明 已授权

一种具有可调负压的SiC MOSFET栅极串扰抑制驱动电路

2020103459880 · 杭州电子科技大学
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钙钛矿光伏组件技术

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