发明专利已授权

一种基于反铁磁斯格明子的新型逻辑门电路

📄 申请号：CN201910901713.8 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2019-09-23

公开号

CN110535460A

公开日

2019-12-03

申请人

四川师范大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H03K19_20

IPC 分类号

H03K19_20

技术画像

所属领域

自旋电子学自旋电子学拓扑磁结构逻辑门电路

应用场景

逻辑运算, 数据处理, 低功耗计算, 磁存储器件, 自旋电子器件

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摘要

本发明提供一种基于反铁磁斯格明子的新型逻辑门电路，以十字型反铁磁赛道为基本单元，整个赛道均为同种反铁磁材料。该逻辑门电路具有两个输入端，分别命名为输入端A和输入端B，输入端A与输入端B相邻，对应十字型赛道左端和上端的磁性隧道结，赛道右端的隧道结则为输出端。输入端A、输入端B通过局部垂直注入自旋极化电流产生反铁磁斯格明子，并利用自旋极化电流和磁晶各向异性梯度驱动斯格明子。其中，磁晶各向异性梯度由压控磁晶各向异性效应产生。本发明以斯格明子的存在与否分别代表二进制数据的“1”和“0”，充分结合斯格明子受拓扑保护作用的特点，以及反铁磁材料对外磁场不敏感的特性，使得本发明具有较强的稳定性和抗磁干扰能力。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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2022109470401 · 杭州电子科技大学

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