发明专利已授权

一种金属-电介质内嵌型超表面及其制备方法

📄 申请号：CN202211163840.0 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2022-09-23

公开号

CN115542432B

公开日

2023-06-30

申请人

成都信息工程大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G02B1_00

IPC 分类号

G02B1_00 , G02B5_30 , G02B5_08 , G02B27_00 ,

技术画像

所属领域

超表面超表面纳米光子学微纳加工

应用场景

光通信, 光学成像, 光学传感, 波前调控, 增强现实显示

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摘要

本发明公开了一种金属‑电介质内嵌型超表面，包括呈单一渐变无源反射单元周期排布的超表面本体，所述超表面本体包括上下布置的顶层内嵌结构和底层反射铝镜。本发明采用上述结构的金属‑电介质内嵌型超表面，在平坦超表面等离子体结构的几何参数变化的基础上增加三维高度变化，产生等离子体模式的界面相移，这种平面光学器件可以模拟与传统光学器件闪耀光栅类似的分束功能，用于宽带反常偏转，有助于在整个可见光频率范围内外同时拥有光栅效应和等离子体相位梯度，进而实现在没有任何交叉偏振效应的情况下为不同的偏振出射波提供完全相反的相位梯度趋势，从而产生与特定光偏振相对应的完全不同方向的多功能反射光束分裂。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

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