实用新型已授权

一种内绝缘功率半导体分立器件的处理结构

📄 申请号：CN202521416771.9 📄 发布日：2026/07/22

著录项目信息

申请日

2025-07-08

公开号

CN224611299U

公开日

2026-08-07

申请人

华索(苏州)科技有限公司

法律状态

已下证

专利类型

实用新型

主分类号

H10W76_18

IPC 分类号

H10W76_18 , H10W40_22 , H10W40_60 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件半导体绝缘结构半导体封装结构

应用场景

电力电子, 新能源汽车, 工业自动化, 电源管理, 光伏逆变器

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摘要

本实用新型公开了一种内绝缘功率半导体分立器件的处理结构，涉及半导体分立器件技术领域。本实用新型包括绝缘套和基板，绝缘套包括支撑绝缘层，支撑绝缘层顶部开设有凹槽，凹槽内壁固定连接有芯片，芯片底部固定连接有若干个引脚，支撑绝缘层顶部靠近芯片四周固定连接有若干个绝缘柱，绝缘柱为中空结构设置，若干个绝缘柱顶部固定连接有覆盖绝缘层。通过设置绝缘套，具体是凹槽形成物理支撑与电气隔离的双重界面，绝缘柱避免固体绝缘材料界面的电荷积累，顶部覆盖绝缘层形成密封，构成立体绝缘空间，解决了现有内绝缘功率半导体分立器件的处理结构普遍采用平面单层绝缘层设计，容易电场分布不均导致局部放电风险的问题。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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