发明专利 已授权

一种绝压接触式MEMS电容薄膜真空传感器

📄 申请号:CN202211515157.9 📄 发布日:2026/06/30

著录项目信息

申请日
2022-11-30
公开号
CN115744808B
公开日
2025-04-11
申请人
江苏理工学院
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

半导体制造, 真空镀膜设备, 工业真空系统, 科研仪器, 真空热处理

摘要

本发明公开了一种绝压接触式MEMS电容薄膜真空传感器,包括传感器芯片,以及用于安装传感器芯片的外壳,以及将传感器芯片封装在外壳内的上壳;传感器芯片包括硼硅感压膜、硅基底和玻璃基底,三者至上而下依次连接;硅基底的一面设有腔体,硅基底将设有腔体一面与硼硅感压膜直接键合,形成真空参考腔;真空参考腔内设有抽气孔,通过硅基底的另一面与玻璃基底阳极键合封堵抽气孔,真空参考腔形成高真空。本发明通过在真空参考腔内部设有抽气孔,将形成真空参考腔的技术转变为硅‑硅直接键合和硅‑玻璃阳极键合相结合的方式,简化了工艺流程,降低了真空传感器的测量下限;硼硅感压膜上设有保护环,减小传感器灵敏度的影响,提高真空传感器的分辨率。

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

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