发明专利 已授权

一种GaN基微型LED显示单元及其制备方法

📄 申请号:CN202411429129.4 📄 发布日:2026/08/10

著录项目信息

申请日
2024-10-14
公开号
CN119451331B
公开日
2026-02-06
申请人
南京信息工程大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号

技术画像

所属领域

应用场景

微型显示, AR/VR显示, 可穿戴设备, 高端显示屏, 光通信

摘要

本发明公开了一种GaN基微型LED显示单元及其制备方法,其结构包括自下而上依次设置的衬底、GaN基复合缓冲层、N型GaN层、含有微孔阵列的掩膜层、六方密堆积的N型GaN六角岛结构、在N型GaN六角岛上制备的量子阱、载流子调控层和P型InxGa1‑xN层等。其中六方密堆积的N型GaN六角岛与量子阱构成了微型LED显示单元的发光结构,以独立台面结构为单元可以避免刻蚀损伤带来的不利影响,有效抑制每个发光单元的边缘效应,提高亮度;以六方密堆积为基础排列发光单元,可以最大程度上的有效利用外延片的面积,将经济效益最大化。该结构有效抑制了传统GaN基微型LED制备工艺对光效的负面影响,对GaN基微型LED显示器的发展具有重要意义。

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

同领域国内专利 · IPC: (H10H20_821)

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📋 交易方式: 委托待转让 📌 交易状态: 在售 👁️ 浏览次数:35 ❤️ 收藏人数:93 📋 项目申报: 未申报

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