发明专利已授权

一种GaN基微型LED显示单元及其制备方法

📄 申请号：CN202411429129.4 📄 发布日：2026/08/10

著录项目信息

申请日

2024-10-14

公开号

CN119451331B

公开日

2026-02-06

申请人

南京信息工程大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H10H20_821

IPC 分类号

H10H20_821 , H10H20_812 , H10H20_815 , H10H20_816 , H10H29_01 , H10H20_825 , H10H20_818 , H10H29_30 ,

技术画像

所属领域

其他分类其他

应用场景

微型显示, AR/VR显示, 可穿戴设备, 高端显示屏, 光通信

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摘要

本发明公开了一种GaN基微型LED显示单元及其制备方法，其结构包括自下而上依次设置的衬底、GaN基复合缓冲层、N型GaN层、含有微孔阵列的掩膜层、六方密堆积的N型GaN六角岛结构、在N型GaN六角岛上制备的量子阱、载流子调控层和P型InxGa1‑xN层等。其中六方密堆积的N型GaN六角岛与量子阱构成了微型LED显示单元的发光结构，以独立台面结构为单元可以避免刻蚀损伤带来的不利影响，有效抑制每个发光单元的边缘效应，提高亮度；以六方密堆积为基础排列发光单元，可以最大程度上的有效利用外延片的面积，将经济效益最大化。该结构有效抑制了传统GaN基微型LED制备工艺对光效的负面影响，对GaN基微型LED显示器的发展具有重要意义。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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