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一种基于蜀葵茎秆合成g-C3N4/C复合材料的方法

Name: 一种基于蜀葵茎秆合成g-C3N4/C复合材料的方法
Brand: 苏州科技大学
SKU: 2021116358609
Availability: InStock

📄 申请号：CN202111635860.9 📄 发布日：2026/10/08

著录项目信息

申请日

2021-12-29

公开号

CN114515588A

公开日

2022-05-20

申请人

苏州科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

B01J27_24

IPC 分类号

B01J27_24 , B01J37_02 , C02F1_30 , C02F101_38 , C02F101_36 , C02F101_34 ,

技术画像

所属领域

其他分类其他

应用场景

光催化制氢, 光催化降解有机污染物, 水体净化, 二氧化碳还原, 环境净化

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摘要

本发明公开了一种基于蜀葵茎秆合成g‑C3N4/C复合材料的方法，包括以下步骤：（1）蜀葵茎秆的预处理；（2）制备g‑C3N4/C复合材料。该方法以蜀葵茎秆为碳骨架，g‑C3N4在模板表面铺展形成薄片层，构建具有特殊结构的复合体系，该复合材料相比纯相g‑C3N4大幅提升了比表面积，界面清晰，碳骨架不仅起到了刚性支撑的作用，而且提升了复合材料的电子转移效率，从而提高了光生载流子的分离效率，提高了可见光的利用率。本方法采用的原料低廉且对环境友好，可应用于工业生产，批量制备治理环境有机污染物的环保材料。

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

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