发明专利已授权

磁性斯格明子写入装置及其形成方法

📄 申请号：CN202010630619.6 📄 发布日：2026/05/14

著录项目信息

申请日

2020-07-03

公开号

CN113889566B

公开日

2025-12-30

申请人

华南师范大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H10N50_80

IPC 分类号

H10N50_80 , H10N50_10 , H10N50_01 , G11C11_16 ,

技术画像

所属领域

磁性斯格明子自旋电子学磁存储技术纳米器件制造磁性斯格明子

应用场景

数据存储, 磁性随机存储器, 自旋电子器件, 逻辑运算器件, 纳米电子器件

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摘要

本发明涉及一种磁性斯格明子写入装置及其形成方法，包括：磁性薄膜；写入单元，用于向所述磁性薄膜写入磁性斯格明子；应力提供装置，用于为所述磁性薄膜提供压应力或张应力。根据磁性薄膜的磁致伸缩系数的正或者负，会在薄膜中的产生沿张力方向或垂直张力方向的磁化易轴，进而降低薄膜中磁性斯格明子的成核的能量阈值。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种具有温度监控功能的锂电池

当前第 / 件

一种建筑拼装木材定位打孔装置

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