发明专利已授权

一种金纳米棒表面生长可调厚度二氧化硅材料的制备方法

Name: 一种金纳米棒表面生长可调厚度二氧化硅材料的制备方法
Brand: 杭州电子科技大学
SKU: 2020116293578
Availability: InStock

📄 申请号：CN202011629357.8 📄 发布日：2026/09/10

著录项目信息

申请日

2020-12-30

公开号

CN112809016B

公开日

2022-11-15

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

B22F9_24

IPC 分类号

B22F9_24 , B22F1_054 , B22F1_16 , B82Y30_00 , B82Y40_00 ,

技术画像

所属领域

其他分类其他

应用场景

生物医学成像, 光热治疗, 生化传感, 光学器件, 催化

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摘要

本发明公开了一种金纳米棒表面生长可调厚度二氧化硅材料的制备方法，首先合成金纳米棒，然后将一定量的CTAB与氯金酸(HAuCl4)混合与瓶中，再加入冰水混合物配制而成的硼氢化钠(NaBH4)，此为种子溶液；将对应低浓度的CTAB、NaOL在50℃下溶解于另一瓶中作为生长溶液，冷却至30℃左右，再加入硝酸银(AgNO3)、氯金酸。依次加入浓盐酸(37wt.％)、抗坏血酸(AA)与种子溶液，得到金纳米棒原料。合成完金纳米棒后，将金纳米棒离心并重新分散在CTAB溶液中，在加入一定量的NaOH溶液后，以30分钟的时间间隔分6次加入TEOS溶液。生长一定厚度的介孔二氧化硅之后，离心清洗，并以1：1的比例加入水和乙醇分散。再加入一定量的氨水溶液,多次加入TEOS溶液，得到最终产物。

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种低表面活性剂浓度下金纳米棒材料的制备方法

当前第 / 件

一种介孔二氧化硅包覆金纳米棒表面生长银复合材料的制备方法

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