发明专利 已授权

一种无镉量子点结构及其制备方法

📄 申请号:CN202310286492.4 📄 发布日:2026/05/11

著录项目信息

申请日
2023-03-22
公开号
CN116410753A
公开日
2023-07-11
申请人
浙江臻纳科技有限公司
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

显示器件, LED照明, 生物成像, 光电器件, 太阳能电池

摘要

本发明公开了一种无镉量子点结构及其制备方法,包括内核、第一壳层、第二壳层,所述内核位于内部,所述第一壳层位于所述内核外部包覆于所述内核,所述第二壳层位于所述第一壳层外部包覆于所述第一壳层。本发明通过在无镉量子点的ZnS或ZnSeS内壳层外延生长窄带隙的外壳层,能够有效缓解ZnS或ZnSeS壳层表面应力,减少量子点表面缺陷,抑制俄歇复合,从而更适应发光二极管管件性能。
权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

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📋 交易方式: 委托待转让 📌 交易状态: 在售 👁️ 浏览次数:102 ❤️ 收藏人数:93 📋 项目申报: 未申报

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