发明专利已授权

一种CHB-QAB拓扑结构的子模块电容优化控制方法

📄 申请号：CN202110806543.2 📄 发布日：2026/05/07

著录项目信息

申请日

2021-07-16

公开号

CN113629985B

公开日

2023-04-07

申请人

燕山大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H02M1_15

IPC 分类号

H02M1_15 , H02M1_42 , H02M7_219 ,

技术画像

所属领域

电力电子变流器控制电力电子变流器控制电容电压平衡控制多电平变换器拓扑

应用场景

电力电子变压器, 新能源并网, 储能系统, 中高压直流输电, 工业变流器

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摘要

本发明公开了一种CHB‑QAB拓扑结构的子模块电容优化控制方法，涉及中低压交直流固态变压器的技术领域，CHB‑QAB拓扑结构包括：全桥与电容结构、全桥结构的高频链路、全桥结构与高频链路的四有源桥变换器结构和三相桥臂。子模块电容优化控制方法包括对全桥与电容结构的控制和对四有源桥变换器的控制，全桥与电容结构的控制会在全桥结构处产生二倍频波动功率；四有源桥变换器的控制将直流功率传递至副边侧全桥结构并联形成的低压母线处，将波动功率传递至高频链处并在变压器原边侧耦合抵消，子模块电容仅需处理开关频次的谐波，以达到优化电容的目的。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

CoCrFeNi高熵合金掺杂非晶碳薄膜在制备重载工况下材料中的应用

当前第 / 件

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